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4H-SiCMESFEET相关论文
具有部分低掺杂沟道的高能效4H-SiC MESFET设计
随着微波功率器件的发展,4H-Si C MESFET器件因其在高功率、高频率和耐高温高压等方面的优良特性受到了人们的关注。在微波功率器......
学位
4H-SiC MESFEET
功率附加效率
栅下局部低掺杂
输出功率
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